Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат

УПИ – УГТУ

Кафедра радиоприёмные устройства.

Контрольная работа № 1

по дисциплине: “ Элементная база радиоэлектронной аппаратуры “ .

Вариант № 17

Шифр:

Ф.И.О

Заочный факультет

Радиотехника

Курс: 3

Короткая словесная черта диодика.

Диодик кремниевый эпитаксиально- планарный.

Выпускаются в стеклянном корпусе с гибкими выводами. Диоды маркируются цветным кодом: одной широкой и одной узенькой полосами зелёного цвета со стороны вывода катода.

Масса диодика Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат менее 0,15 г.

Паспортные характеристики.

Электронные характеристики:

Неизменное прямое напряжение при не I пр = 200 мА более:

при 298 и 398 К …………………………………………………………….. 1,1 В

при 213 К …………………………………………………………………… 1,5 В

Неизменный оборотный ток при U пр = 50 В , менее:

при 298 и 213 К ……………………………………………………………. 5 мкА

при 398 К …………………………………………………………………… 150 мкА

Заряд переключения при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В, менее ………………. 400 пКл

Общая ёмкость диодика при U Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат обр = 0 В, менее ………………………………… 4 пФ

Время оборотного восстановления при I пр = 50 мА, U обр,и = 10 В,

I отсч = 2 мА менее ……………………………………………………………… 4 нс

Предельные эксплуатационные данные:

Неизменное, импульсное оборотное напряжение (хоть какой формы и

периодичности) ……………………………………………………………………… 50 В

Импульсное оборотное напряжение при продолжительности импульса (на уровне 50 В)

менее 2 мкс и скважности более 10 ………………………………………… 70 В

Неизменный либо средний Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат прямой ток:

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 200 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 100 мА

Импульсной прямой ток при τи ≤ 10 мкс (без превышения среднего прямого тока):

при температуре от 213 до 323 К ………………………………………… 1500 мА

при 393 К ………………………………………………………………….. 500 мА

Температура перехода ……………………………………………………………… 423 К

Температура среды ………………………………………………….От 213 до

393 К

Семейство вольтамперных черт:

I пр ,мА
200
160
120
80
40
0 0,4 0,8 1,2 1,6 2,0 U пр ,В

Расчёты и графики зависимостей:

1) сопротивление неизменному току R= и переменному Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат току (малый сигнал) r~ от прямого и оборотного напряжения для комнатной температуры 298 К .

Зависимость тока от прямого напряжения:

I пр ,мА

200

I8

180
160
140
120

100

80
60

40

20

I1

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

0,7

U1

0,8 0,9 1,0

1,1

U8

U пр ,В

I1 = 10 мА, U1 = 0,63 В, R1 = U1 / I1 = 0,63 / 10 мА = 63 Ом

I2 = 20 мА, U2 = 0,73 В, R2 = U2 / I2 = 0,73 / 20 мА = 36,5 Ом Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат

I3 = 40 мА, U3 = 0,81 В, R3 = U3 / I3 = 0,81 / 40 мА = 20,3 Ом

I4 = 60 мА, U4 = 0,86 В, R4 = U4 / I4 = 0,86 / 60 мА = 14,3 Ом

I5 = 80 мА, U5 = 0,90 В, R5 = U5 / I5 = 0,90 / 80 мА = 11,3 Ом

I6 = 120 мА, U6 = 0,97 В, R6 = U6 / I6 = 0,97 / 120 мА = 8,03 Ом

I7 = 160 мА, U7 = 1,03 В, R7 = U7 / I7 = 1,03 / 160 мА = 6,4 Ом

I8 = 200 мА, U8 = 1,10 В, R8 = U Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат8 / I8 = 1,10 / 200 мА = 5,5 Ом

ΔI1 = 10 мА , ΔU1 = 0,10 В, r1 = ΔU1 / ΔI1 = 0 ,10 / 10 мА = 10 Ом

ΔI2 = 20 мА , ΔU2 = 0,08 В, r2 = ΔU2 / ΔI2 = 0 ,08 / 20 мА = 4 Ом

ΔI3 = 20 мА , ΔU3 = 0,05 В, r3 = ΔU3 / ΔI3 = 0 ,05 / 20 мА = 2,5 Ом

ΔI4 = 20 мА , ΔU4 = 0,04 В, r4 = ΔU4 / ΔI4 = 0 ,04 / 20 мА = 2 Ом

ΔI5 = 40 мА , ΔU5 = 0,07 В, r5 = ΔU5 / ΔI5 = 0 ,07 / 40 мА = 1,7 Ом Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат

ΔI6 = 40 мА , ΔU6 = 0,06 В, r6 = ΔU6 / ΔI6 = 0 ,06 / 40 мА = 1,5 Ом

ΔI7 = 40 мА , ΔU7 = 0,07 В, r7 = ΔU7 / ΔI7 = 0 ,07 / 40 мА = 1,7 Ом

Зависимость сопротивления неизменному току R= от прямого напряжения U пр :

R= ,Ом

70

R1

60

50

40
30

20

10

R8

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

0,7

U1

0,8 0,9 1,0

1,1

U8

U пр ,В

Зависимость сопротивления переменному току r~ от прямого напряжения U пр :

r Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат~ ,Ом
10
9
8

7

6

5

4
3

2

1

0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6

0,7

U1

0,8 0,9 1,0

1,1

U7

U пр ,В

Зависимость тока I обр от оборотного напряжения U обр :

I обр ,мк А

5,0

I7

4,5
4,0
3,5
3,0

2,5

2,0
1,5

1,0

0,5

I1

0 5 10 15 20 25 30 35

40

U1

45

50

U7

U об ,В

I1 = 0 ,25 мкА, U1 = 37 В, R1 = U1 / I1 = 37 / 0,25 мкА = 148 МОм

I2 = 0,50 мкА, U2 = 40 В, R2 = U2 / I2 = 40 / 0,50 мкА = 80 М Ом

I3 = 1,00 мкА, U3 = 42 В, R3 = U Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат3 / I3 = 42 / 1,00 мкА = 42 МОм

I4 = 2,00 мкА, U4 = 44 В, R4 = U4 / I4 = 44 / 2,00 мкА = 22 М Ом

I5 = 3,00 мкА, U5 = 46 В, R5 = U5 / I5 = 46 / 3,00 мкА = 15,3 МОм

I6 = 4,00 мкА, U6 = 48 В, R6 = U6 / I6 = 48 / 4,00 мкА = 12 М Ом

I7 = 5,00 мкА, U7 = 50 В, R7 = U7 / I7 = 50 / 5,00 мкА = 10 МОм

ΔI1 = 0,25 мкА , ΔU1 = 3 В, r1 = ΔU Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат1 / ΔI1 = 3 / 0,25 мкА = 12 МОм

ΔI2 = 0,50 мкА , ΔU2 = 2 В, r2 = ΔU2 / ΔI2 = 2 / 0,50 мкА = 4 МОм

ΔI3 = 1,00 мкА , ΔU3 = 2 В, r3 = ΔU3 / ΔI3 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI4 = 1,00 мкА , ΔU4 = 2 В, r4 = ΔU4 / ΔI4 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI5 = 1,00 мкА , ΔU5 = 2 В, r5 = ΔU5 / ΔI5 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

ΔI6 = 1,00 мкА , ΔU6 = 2 В, r6 = ΔU6 / ΔI6 = 2 / 1,00 мкА = 2 МОм

Зависимость Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат сопротивления неизменному току R= от оборотного напряжения U обр :

R= , МОм
160
140
120

100

80
60

40

20

0 5 10 15 20 25 30 35

40

U1

45

50

U7

U об ,В

Зависимость сопротивления переменному току r~ от оборотного напряжения U обр :

r~ , МОм
12

10

8
6

4

2

0 5 10 15 20 25 30 35

40

U1

45

50

U7

U об ,В

2) График зависимости ёмкость Собр от оборотного напряжения:

Сд ,

пФ

4
3
2

1

0 20 40 60 80 U обр В

Определение величин температурных коэффициентов.

Определим графически из Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат семейства вольтамперных черт величины температурных коэффициентов ТК U пр и ТК Iобр .

I пр ,мА

200

160
120

80

40
0 0,2 0,4 0,6 0,8

1,0

1,2

U1

1,4

1,6

U2

U пр ,В

I = 200 мА, U1 = 1,5 B, U2 = 1,1 B, T1 = 298 K, T2 = 213 K


I обр ,мк А

150

I2

125
100
75
50

25

I1

0 10 20 30

40

50

U

60 U обр В

U = 50 B, I1 = 5 мкА, I2 = 150 мкА Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат, Т1 = 298 К, Т2 = 398 К


Определение сопротивления базы.

Величина сопротивления базы r б оценивается по наклону прямой ветки ВАХ при огромных токах (Т=298К):

I пр ,мА

500

I2

400
300

200

I1

100
0 0,2 0,4 0,6 0,8

1,0

1,2

U пр ,В

Термический потенциал:


По вольтамперной характеристике определяем:

U1 = 1,1 В, U2 = 1,2 В,

I1 = 200 мА, I2 = 500 мА


Малосигнальная частотная схема диодика

и Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат величины её частей.

Малосигнальная частотная схема диодика при оборотном смещении:


Величины частей схемы при U обр = 5 В :


Библиографический перечень.

1) “Электрические приборы: учебник для вузов” Дулин В.Н., Аваев Н.А., Демин В.П. под ред. Шишкина Г.Г. ; Энергоатомиздат, 1989 г..

2) Батушев В.А. “ Электрические приборы: учебник для вузов Элементная база радиоэлектронной аппаратуры - реферат”; М.: Высш.шк., 1980г.

3) Справочник “ Полупроводниковые приборы: диоды, тиристоры, оптоэлектронные приборы”; М.: Энергоатомиздат, 1987г..

4) “ Исследование черт и характеристик полупроводниковых устройств” методические указания к лабораторной работе по курсу “ Электрические приборы”; Свердловск, 1989г..


elena-provotorova-maksim-kotin.html
elena-vladimirovna-lavrenteva.html
elena-yurevna-ponomaryova.html